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宽能隙钙钛矿添加剂工程:ABX₃计量比是关键
更新时间:2026-02-12      阅读:12

研究背景:精确化学计量决定性能极限

金属卤化物钙钛矿太阳能电池在过去十年实现了惊人的效率提升,从2009年的3.8%跃升至2025年钙钛矿-硅叠层电池的34.85%。然而,缺陷导致的开路电压损失仍是限制其性能的关键因素。添加剂工程虽是常见优化策略,但对于添加剂如何影响钙钛矿ABX化学计量比的根本理解仍不清晰。

埃因霍芬理工大学René A. J. Janssen教授研究团队于期刊ACS Applied Energy Materials发表了突破性研究成果。研究团队选用宽能隙(1.77 eV) Cs.FA.Pb(I.Br.)钙钛矿,研究揭示了铅基添加剂工程背后的通用机制:添加剂会干扰钙钛矿吸光层的ABX化学计量比。团队采用两种常用的铅盐添加剂——硫氰酸铅 Pb(SCN) 和氯化铅 PbCl,并通过添加额外的甲脒碘 (FAI) 来恢复钙钛矿的精确化学计量比。研究发现,添加剂干扰化学计量会导致宽能隙钙钛矿电池性能下降。


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Fig. 1:显示添加 Pb(SCN) PbCl 后,器件性能显著下降


QFLS表征:量化非辐射复合损失的关键技术

准费米能阶分裂(QFLS)是评估太阳能电池材料Voc潜力的核心参数,描述了光生载体在光照下的非平衡能级分布。研究团队采用定态光致发光(ss-PL)测量技术,使用455 nm LED激发样品,并将样品置于积分球内,调整入射光子通量以模拟AM1.5G条件。为确保测量重现性,钙钛矿薄膜沉积在经HDPA功能化的玻璃/ITO基板上。

研究人员系统地改变前驱液化学计量,探讨FAIPbI过量/不足对QFLS的影响。结果显示,任何偏离理想化学计量都会导致QFLS微幅增加(< 40 meV)。特别是PbI缺陷或FAI过量影响显著,暗示过量FAI可能迁移至钙钛矿顶部表面,钝化界面缺陷态。


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Fig. S15 显示了 Cs.FA.Pb(I.Br.) 钙钛矿薄膜的 QFLS 数值


QFLS改善并不直接对应器件性能提升,因其对受阻电荷提取不敏感。在薄膜上沉积PCBM电子传输层后重复测量,发现富勒烯基ETL导致QFLS显著损失,证实钙钛矿-PCBM界面的非辐射复合是限制Voc的主要因素。


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Fig. 7 验证了吸收层化学计量偏差对电子传输层 (ETL) 界面复合损失的影响。


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QFLS-Maper准费米能阶分裂检测仪能在3秒内实现QFLS影像可视化,实时掌握样品准费米能级分布。该设备具备多模态功能,可测量QFLSiVocPseudo J-VPLQY等关键参数。特别是Pseudo J-V曲线基于测量数据理论重建,不受器件结构影响,能在2分钟内预测材料理论效率极限。

化学机制解析:不同添加剂的补偿策略

研究确立了铅基添加剂影响钙钛矿性能的普适机制——维持ABX化学计量比。不同添加剂在退火过程中的机制差异决定了所需FAI补偿量:

Pb(SCN)机制(3当量FAI)XPS深度分析证实退火后薄膜不含硫,表明SCN未纳入晶格。该添加剂与FAI反应导致SCN挥发,形成过量PbI并造成FAI缺陷。因此需要3个当量FAI2个补偿挥发的甲脒,1个将PbI转化为FAPbI

PbCl机制(1当量FAI)XPS显示Cl存在于薄膜中,证实Cl易构建到晶格。PbCl转化时消耗1当量FAI,因此仅需1当量FAI补偿即可转化。

精确添加FAI恢复化学计量后,器件性能恢复[4]。过量FAI则因有机阳离子界面累积而损害性能。


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3X 射线光电子能谱(XPS)深度分析添加剂离子的存在


J-V曲线验证:性能恢复的定量证据

研究团队制作了ITO|NiOx|Me-4PACz|AlO|Cs.FA.Pb(I.Br.)|PDAI|PCBM|BCP|Ag倒置结构器件。优化器件实现Voc 1.30 VJsc 16.5 mA cm²FF 0.82PCE 17.5%

添加0.5~2 mol% Pb(SCN)导致所有参数下降。通过精确FAI补偿:

  • 1 mol%      PbCl配合1 mol%      FAI实现性能恢复

  • 1 mol%      Pb(SCN)3 mol%      FAI恢复至参考水平


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Fig. 1a:添加 Pb(SCN) PbCl 对开路电压 (Voc) 的影响


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Fig. 4:通过 FAI 补偿恢复器件性能的验证

故意扰动化学计量的实验显示,PbI缺陷导致光电流几乎损失,FAI过量则主要通过Jsc损失降低PCE


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Fig. 5:故意扰动无添加剂钙钛矿的化学计量


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EQE表征:缺陷分析的深入洞察

• EQE 验证 Jsc 变化:通过 EQE 光谱的变化,证实了故意扰动前驱液化学计量所导致的 Jsc 损失。例如,PbI 缺陷导致 EQE 曲线急剧下降,与 Jsc 几乎损失的结果相符。

次能带 EQE 揭示缺陷:利用高度敏感的次能带光电流光谱来探讨缺陷情况。这些次能带 EQE 光谱揭示了在 0.95 eV 1.40 eV 附近存在两个次能带贡献,这与钙钛矿-PCBM 界面的缺陷有关。

• Urbach 能量(Eu)分析:研究发现,ABX 化学计量的破坏不可避免地导致能量无序度增加。Eu PbI 缺陷的增加而增加。对于 FAI 过量,Eu 也更高,与 PbI 缺陷相似。这证实了化学计量的偏差确实会加剧吸光层的缺陷和无序度。


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Fig. S12 和图 S13:分别显示 PbI FAI 过量或不足的器件 EQE 光谱


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Fig. 8:显示 PbI FAI 过量或不足对器件 Urbach 能量的影响


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Fig. S18:显示 PbI FAI 过量或不足器件的高度敏感 EQE 光谱


结论与展望

该研究明确证实维持ABX化学计量比对宽能隙钙钛矿太阳能电池性能至关重要。即使低浓度铅盐添加剂也会破坏化学计量,但可通过精确FAI补偿恢复。关键在于添加剂阴离子是否纳入晶格:PbCl1当量FAIPb(SCN)3当量FAI。研究为理性添加剂工程提供了坚实基础,强调了吸光层化学计量控制的核心地位。



文献参考自ACS Applied Energy Materials_DOI: 10.1021/acsaem.5c02216

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