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雷射扫描缺陷图谱仪
参考价:

型号:LSD4

更新时间:2025-03-14  |  阅读:2302

详情介绍

产品介绍


4 分钟内掌握全貌,以 50 微米分辨率扫描 100 毫米 x 100 毫米区域


  扫描缺陷成像仪是激光束感应电流(LBIC)测试的升级版本。 它利用波长能量大于半导体能隙的激光光束照射半导体,产生电子-电洞对。 透过快速扫描样品表面,获得揭示内部电流变化的影像分布,以分析各种缺陷分布。 这有助于分析样品制备的质量,并有助于制程改进。

特征


扫描光生电流的分布

扫描光电压分布

扫描开路电压和短路电流的分布

分析表面污染

分析短路区域的 分布

识别和分析微裂纹区域

分析少数载子扩散长度的分布(选用功能)


应用

雷射扫描缺陷图谱仪

硅太阳能电池光电流分布(405 纳米)

雷射扫描缺陷图谱仪雷射扫描缺陷图谱仪

6 英寸硅晶太阳能电池扫描(17 秒)

雷射扫描缺陷图谱仪

钙钛矿太阳能电池

雷射扫描缺陷图谱仪    

LSD4-OPV光响应电流分布图

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD4-OPV光响应电流分布图

雷射扫描缺陷图谱仪

分辨率为 50 µm 的非均匀性分析


雷射扫描缺陷图谱仪

母线/栅极纵横比检测(横截面分析)

雷射扫描缺陷图谱仪

     雷射扫描缺陷图谱仪            雷射扫描缺陷图谱仪

高重复性(6次重复)


规格

项目参数说明。
功能A。利用能量高于半导体带隙的波长激光束在半导体中产生电子空穴对,探索耗尽区对内部电流变化的影响,了解和分析各种缺陷分布,作为工艺改进的方向。

b.能够扫描样品表面光生电流的分布。

C。能够扫描样品表面光电压的分布。

d.能够扫描开路电压和短路电流的分布。

e.能够分析表面污染。

F。能够分析短路区域的分布。

G。能够识别和分析微裂纹区域。

H。能够分析少数载流子扩散长度的分布(可选)。
激励源
405 ±10nm 激光
520 ±10nm 激光
635 ±10nm 激光
830 ±10nm 激光
扫描区域≧100mm×100mm
激光光斑尺寸接近TEM00模式点
测绘分辨率
A。扫描分辨率 ≤ 50 µm
b.扫描分辨率可通过软件设置
测绘时间<4分钟(100mm×100mm,分辨率50um)
方面60厘米*60厘米*100厘米
软件A。 LBIC 3D 可视化
b. 2D 横截面分析(电极纵横比)
c.光电流响应分布分析(与长波长激光源结合)
d.数据保存和导出功能









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